大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話(huà)題，就是關(guān)于納米金屬材料的問(wèn)題探討的問(wèn)題，于是小編就整理了2個(gè)相關(guān)介紹納米金屬材料的問(wèn)題探討的解答，讓我們一起看看吧。
不同維度納米材料優(yōu)缺點(diǎn)？
一、不同維度納米材料的優(yōu)點(diǎn)：
①力學(xué)性能。高溫、高硬、高強是結構材料開(kāi)發(fā)的永恒主題，納米結構材料的硬度或強度與粒徑成反比，符合Hall-Retch關(guān)系式。材料晶粒的細化及高密度界面的存在，必將對納米材料的力學(xué)性能產(chǎn)生很大的影響。在納米材料中位錯密度非常低，位錯滑移和增殖采取Frand-Reed模型，其臨界位錯圈的直徑比納米晶粒粒徑還要大，增殖后位錯塞積的平均間距一般比晶粒大，所以在納米材料中位錯的滑移和增殖不會(huì )發(fā)生，此即納米晶強化效應。
②光學(xué)性能。納米粒子的粒徑（10～100nm）小于光波的波長(cháng)，因此將與入射光產(chǎn)生復雜的交互作用。金屬在適當的蒸發(fā)沉積條件下，可得到易吸收光的黑色金屬超微粒子，稱(chēng)為金屬黑，這與金屬在真空鍍膜時(shí)形成的高反射率光澤面成強烈對比。由于量子尺寸效應，納米半導體微粒的吸收光澤普遍存在藍移現象，納米材料因其光吸收率大的特色，可應用于紅外線(xiàn)感測器材料。此外，TiO2超細或納米粒子還可用于抗紫外線(xiàn)用品。
當人們將宏觀(guān)物體細分成納米級的超微顆粒后，它將顯示出許多奇異的特性，即它的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)、力學(xué)以及化學(xué)方面的性質(zhì)和大塊固體時(shí)相比將會(huì )有顯著(zhù)的不同
二、其缺點(diǎn)有：
①點(diǎn)缺陷。又叫做零維缺陷，由于原子的熱運動(dòng)，是無(wú)法避免的。點(diǎn)缺陷包括空位、取代（雜質(zhì)原子替代原本的原子）、間隙（雜質(zhì)原子處于原本原子形成的空隙之間，可以由本身原子形成，也可以由外來(lái)原子形成）等。如，空位就是一種零維缺陷。
②線(xiàn)缺陷。位錯的線(xiàn)長(cháng)度及位錯運動(dòng)的平均自由程均小于晶粒的尺寸。如，位錯就是一種一維缺陷。
③面缺陷。納米晶粒內的位錯具有尺寸效應，當晶粒小于某一臨界尺寸時(shí)，位錯不穩定，趨向于離開(kāi)晶粒，而當粒徑大于該臨界尺寸時(shí)，位錯便穩定地存在于晶粒內。如，孿晶、層錯等，這是一種二維缺陷。
納米材料的優(yōu)點(diǎn)：
除味、殺菌、韌性強、延長(cháng)老化時(shí)間等。
缺點(diǎn)：
一、點(diǎn)缺陷，如空位，溶質(zhì)原子和雜質(zhì)原子等，這是一種零維缺陷。二、線(xiàn)缺陷，如位錯，一種一維缺陷，位錯的線(xiàn)長(cháng)度及位錯運動(dòng)的平均自由程均小于晶粒的尺寸。三、面缺陷，如孿晶、層錯等，這是一種二維缺陷。納米晶粒內的位錯具有尺寸效應，當晶粒小于某一臨界尺寸時(shí)，位錯不穩定，趨向于離開(kāi)晶粒，而當粒徑大于該臨界尺寸時(shí)，位錯便穩定地存在于晶粒內。位錯與晶粒大小之間的關(guān)系為：1）當晶粒尺寸在50～100nm之間，溫度<0.5mTm時(shí)，位錯的行為決定了材料的力學(xué)性能。隨著(zhù)晶粒尺寸的減小，位錯的作用開(kāi)始減小。2）當晶粒尺寸在30—50nm時(shí)可認為基本上沒(méi)有位錯行為。3）當晶粒尺寸小于10nm時(shí)產(chǎn)生新的位錯很困難。4）當晶粒小于約2nm時(shí)，開(kāi)動(dòng)位錯源的應力達到無(wú)位錯晶粒的理論切應力。
合金材料是納米材料嗎？
合金材料不是納米材料。
納米材料是指一種由尺寸介于原子、分子以及宏觀(guān)體系間的新型材料，具有一定的獨特性，當物品的尺度微小到某一個(gè)程度時(shí)，這時(shí)就需要通過(guò)改用量子力學(xué)來(lái)取代傳統力學(xué)。在建筑領(lǐng)域利用納米技術(shù)，能讓結果差距變大。的確，部分納米技術(shù)已在市面上獲得了應用。比如：環(huán)保上的窗戶(hù)清潔、建筑物以及道路等。當然，除此之外，還有部分納米添加在了施工材料中，從而提升機械性、耐久性以及絕緣性，并且跟傳統材料相比，在重量上還有所降低了。
到此，以上就是小編對于納米金屬材料的問(wèn)題探討的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于納米金屬材料的問(wèn)題探討的2點(diǎn)解答對大家有用。
