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- 1、如圖,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面a、b間通...
- 2、...器兩極板間1/2d處插入與兩極板相同面積的金屬薄片,電容如何變化?_百...
- 3、一金屬導體薄片置于如下圖所示的磁場中,薄片中電流的方向向右,上下兩側...
- 4、有一個直徑為10cm的金屬圓形薄片,經加熱后,半徑增加了0.1cm,求所增加...
如圖,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面a、b間通...
霍爾電流傳感器工作原理 霍爾電流傳感器基于霍爾效應進行工作?；魻栃侵府斠粔K通有電流的金屬或半導體薄片垂直置于磁場中時，會在薄片的兩端產生電位差，這種現象稱為霍爾效應。
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為U=Kk·I·B/d。
當電流垂直于外磁場方向通過導體時，在垂直于磁場和電流方向的導體的兩個端面之間出現電勢差的現象稱為霍爾效應，該電勢差稱為霍爾電勢差(霍爾電壓)。
磁傳感器是利用霍爾效應的元件，在一半導體的薄片兩端間接通電流，倘若在薄片垂直的方向外面加上磁場，那么載流子會在羅倫茲力的作用下，將方向移動。
組成：從矩形薄片半導體基片上的兩個相互垂直方向側面上，引出一對電極，其中1-1’電極用于加控制電流，稱控制電流，另一對2-2’電極用于引出霍爾電勢。在基片外面用金屬或陶瓷、環氧樹脂等封裝作為外殼。
霍爾效應是電磁效應的一種，這一現象是美國物理學家霍爾（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機制時發現的。
...器兩極板間1/2d處插入與兩極板相同面積的金屬薄片,電容如何變化?_百...
電容變大。C=εS/d=εS/4πkd。相當于板間距變小。如果問電量的話，你的題目應該有限制條件，比如電壓不變，接通電源，后一種和前一種一樣，本質都是電壓不變，C=Q/U 此時電容電量增加。
會增大電容的容量。因為兩塊互相平行的金屬極板互相絕緣就形成電容，兩塊極板距離相距越大，容量越小，耐壓越高，你插里一塊金屬板，減小了它的距離，所以電容量增大，耐壓降低了。
一個電容器，如果帶1庫的電量時兩級間的電勢差是1伏，這個電容器的電容就是1法，即：C=Q/U 但電容的大小不是由Q（帶電量）或U（電壓）決定的，即：C=εS/4πkd 。
).1/4+1/4=1/2 則電容為原來電容的 2 倍 2).根據平行板電容器公式C=εS/d=εrS/(4πkd)知：電容又為原來電容的εr倍。
是的，你的理解是對的。電容器兩塊極板之間插入一塊金屬片以后，這塊金屬片就成為一個公共極板。它的上表面和上面的極板形成一個電容器，其下表面和下面的極板又形成一個電容器，所以可等效為兩個電容器串聯在一起。
一金屬導體薄片置于如下圖所示的磁場中,薄片中電流的方向向右,上下兩側...
導體中的自由電子定向移動方向為從右向左，由于電子帶負電，它們受到的洛侖茲力為向下。于是導體的下表面就積聚起負電荷，從而引起下表面的電位降低，于是：上下兩側的霍耳電勢差為什么是VaVb。
渦流損耗導體在非均勻磁場或處在隨時間變化的磁場中，導體內的感生電流導致的能量損耗。在導體內部形成的一圈圈閉合的電流線稱為渦流。
渦流是由于一個移動的磁場與金屬導體相交，或是由移動的金屬導體與磁場垂直交會所產生。簡而言之，就是電磁感應效應所造成。這個動作產生了一個在導體內循環的電流。
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有一個直徑為10cm的金屬圓形薄片,經加熱后,半徑增加了0.1cm,求所增加...
1、=(4/3)×14×(10+0.05)-(4/3)×14×10=611（cm），金屬球增加的體積是611立方厘米。
2、/3×π（5+0.01）×（5+0.01）×（5+001）-4/3×π×5×5×5＝146立方厘米 此金屬球的體積大約增加了146立方厘米。
3、R＝10。R的增量△R＝0.001。秋的體積V與半徑R的關系是V＝4πr^3/3。dV＝4πr^2△r＝4π×10^2×0.001＝0.4π。
4、圓片的面積=丌×r×r（半徑），根據題意，原來半徑r=20cm，加熱后半徑R=15cm，所以面積增加值=丌×（R×R-r×r）=I4×（15×15一20×20）=191，即面積增加了191平方厘米。
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